XB-EL101X-G-X-東莞市渓榜電子有限公司

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3D文件XB-EL101X-G 规格书 GO
一般光耦的CTR量测与计算 Ver1.0(简)
一般光耦应用于数据传送 Ver1.0(简)
技术图纸XB-EL101X-G

▍溪榜料号：XB-EL101X-G-X

Product type: Phototransistor Rated current: 60mA/200mA Rated voltage: 1.2V/80V Life test: 5000 times

Installation method: Welding insertion and extraction force: 3-30N Operating temperature: -40 ℃± 105 ℃ Product certification: ROHS

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产品编号	产品图片	产品描述	在产状态	出货周期	商品毛重	MPQ	MOQ	生产在途	竞品购买	操作
XB-EL101X-G-X 3D 查看图纸		7.63.62.2mm光耦元器/光耦电子元器件/贴片光耦元件/光耦-光电晶体管输出/直插光耦/光电耦合器/ 光耦芯片元器件/光耦耦合器4PIN	正常	一周	0.36g	1000	3000	10000	是	技术咨询

产品类型	4pin长爬电距离

特性	• 电流传输比(CTR: 50~600% at IF =5mA,VCE =5V)(CTR: 63~320% at IF =10mA,VCE =5V)
	• 输入与输出间高隔离电压(Viso=5000 V rms) )
	• 紧凑型 5 引脚 SOP，外形为 2.2 mm
	• 爬电距离长 8mm
	• 无铅且符合 RoHS 标准。

应用领域	• 可编程控制器
	• 系统设备、测量仪器
	• 电信设备
	• 暖风机等家用电器
	• 不同电位和阻抗电路之间的信号传输